为什么产生的石墨烯——即单原子厚度的碳层，它已经成为纳米尺度研究的主干——在每个实验室之间会有如此显著的差异？传统上，铜表面一直被用作生长石墨烯的支架，但一项新的研究显示，在这些铜表面的氧含量可影响石墨烯生长的大小和速度。具体地说，Yufeng Hao及其同事发现，在铜表面的氧原子会中断石墨烯的成核并会特别促使大型的具有粗糙、多分支边缘的石墨烯晶体的生长。他们说，或者，将氧原子从铜表面去除可带来更紧凑的具有锋利边缘的晶体的生长。Hao及其他的研究人员在不同的时间长度里让不同的铜表面与氧接触以观察在它们上面生长的石墨烯晶体之间的差异。正如所预计的，铜表面接触氧气的时间越长，其上所生长的石墨烯晶体的速度就越快且越大。据研究人员披露，这些石墨烯晶体的品质——无论其是在无氧或富氧表面生长的——与机械剥离的、符合工业标准的石墨烯晶体的品质相似。基于他们的发现，他们提示——连同改变气体压力及让铜表面变光滑——用氧来处理铜表面可以是科学家们用来调整石墨烯晶体生长的另外一种方法。（文字来源：中国科学报，图片来源于网络）