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黄鑫 简介
简介:

黄鑫,男,2017年于中国科学院大学获凝聚态物理博士学位。2017-2018年在新加坡国立大学电子与计算机工程学院、2019-2021年在德国慕尼黑大学物理系从事博士后研究。2021年入选中科院物理所引进海外杰出人才计划,在纳米物理与器件实验室N10课题组工作,任副研究员。目前主要从事低维/纳米半导体材料光电器件制备与测量,主要包括探索新型二维材料自由度(电荷、能谷和自旋)特性,并以此为信息载体,通过外加光、电、磁、压力等条件调控器件的基本量子物理效应,以开发这些自由度在新型信息器件中的应用。以第一作者或通讯作者在Nature Nanotechnology、Advanced Materials、Advanced Functional Materials、ACS Nano等国际著名学术期刊上发表论文30余篇,获发明专利授权1项,2019年获欧盟“地平线-2020”玛丽居里基金。

(谷歌学术:https://scholar.google.com/citations?user=MzQULbYAAAAJ&hl=zh-CN)



主要研究方向:

1. 新型低维半导体材料电子/光电器件制备与测量,探索二维材料以及异质结材料中电荷、自旋、能谷等物理自由度,利用外场的调控规律,设计和实现新原理电子与光电子器件

2. 二维非易失性忆阻器和神经形态电子/光电子器件、新型存内计算逻辑器件及存算融合集成系统



代表性论文及专利:

[1] Bai, Q.; Huang, X.# (co-first author); Guo, Y.; Du, S.; Sun, C.; Hu, L.; Zheng, R.; Yang, Y.; Jin, A.; Li, J.; Gu, C.#, Gap-Surface-Plasmon Induced Polarization Photoresponse for MoS2–Based Photodetector. Nano Res. 2023.

[2] Zhao, S.; Li, Z.; Huang, X. (co-first author); Rupp, A.; Göser, J.; Vovk, I. A.; Kruchinin, S. Y.; Watanabe, K.; Taniguchi, T.; Bilgin, I.; Baimuratov, A. S.; Högele, A.#, Excitons in mesoscopically reconstructed moiré heterostructures. Nat. Nanotechnol., 2023.

[3] Huang, X.; Guo, Y.; Du, S.; Bai, Q.; Sun, C.; Hu, L.; Zheng, R.; Fu, P.; Yang, Y.; Jin, A.; Watanabe, K.; Taniguchi, T.; Li, J.; Liu, B.#; Gu, C.#, Strong Linearly Polarized Emission from Monolayer WS2 Coupled with Plasmonic Nanocavity Array. Adv. Opt. Mater. 2022, 10 (19), 2200535.

[4] Xin, M.; Lan, W.; Bai, Q.; Huang, X.; Watanabe, K.; Taniguchi, T.; Wang, G.; Gu, C.; Liu, B.#, The trilayer exciton emission in WSe2/WS2/MoS2 van der Waals heterostructures. Appl. Phys. Lett. 2022, 121 (14), 143101.

[5] Du, S.; Guo, Y.; Huang, X.; Sun, C.; Zhang, Z.; Hu, L.; Zheng, R.; Bai, Q.; Jin, A.; Yang, H.; Zhang, Y.; Li, J.; Gu, C.#, Strain lithography for two-dimensional materials by electron irradiation. App. Phys. Lett. 2022, 120 (9), 093104.

[6] Tan, W. C.; Huang, X.; Huang, L.; Wang, L.; Feng, X.; Chen, L.; Ang, K.-W.#, Chapter 9 - Recent advances in black phosphorus and transition metal dichalcogenide–based electronic and optoelectronics devices. In 2D Semiconductor Materials and Devices, Chi, D.; Goh, K. E. J.; Wee, A. T. S., Eds. Elsevier 2020; pp 251-312.

[7] Huang, X.; Feng, X.; Chen, L.; Wang, L.; Tan, W. C.; Huang, L.; Ang, K.-W.#, Fabry-Perot cavity enhanced light-matter interactions in two-dimensional van der Waals heterostructure. Nano Energy 2019, 62, 667-673.

[8] Feng, X.; Huang, X.; Chen, L.; Tan, W. C.; Wang, L.; Ang, K.-W.#, High Mobility Anisotropic Black Phosphorus Nanoribbon Field-Effect Transistor. Adv. Funct. Mater. 2018, 28 (28), 1801524.

[9] Huang, X., Cai, Y., Feng, X., Tan, W. C., Hasan, D. M. N., Chen, L., Chen, N., Wang, L., Huang, L., Duffin, T. J., Nijhuis, C. A., Zhang, Y.-W., Lee, C., Ang, K. W.#, Black Phosphorus Carbide as a Tunable Anisotropic Plasmonic Metasurface. ACS Photonics 2018, 5: 3116-3123.

[10] Huang, X., Jiang, C., Du, C., Jing, L., Liu, M., Hu, W.#, Wang, Z. L.#, Enhanced Luminescence Performance of Quantum Wells by Coupling Piezo-Phototronic with Plasmonic Effects. ACS Nano 2016, 10 (12), 11420-11427.

[11] Huang, X., Du, C., Zhou, Y., Jiang, C., Pu, X., Liu, W., Hu, W,# Chen, H., Wang, Z. L.#,  Piezo-Phototronic Effect in a Quantum Well Structure. ACS Nano 2016, 10(5): 5145-5152.



目前的研究课题及展望:

国家自然科学基金, 青年科学基金项目, 62204259, MoS2/GaN范德华异质结界面缺陷钝化与紫外光电探测器性能的研究, 2023-01-01至2025-12-31, 30万元, 在研, 主持;

目前研究领域聚焦在:基于二维材料的非易失性相变存储器PCRAM、可变电阻式存储器RRAM和铁电存储器FeRAM在神经拟态突触电子/光电子、新型存内计算逻辑器件中的应用;



其他联系方式:

电话:

010-82648332

Email:

xinhuang@iphy.ac.cn

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